上海膜林

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晶控初步

基本操作

探头检测

晶控初步

问:晶控仪是什么

晶控仪(石英晶体膜厚控制仪)是真空镀膜常用的在线速率和厚度监控仪器,具有厚度线性好,精度高等特点,已经成为真空蒸发镀膜的标准配置;相对稳定的溅射镀膜和其它类型镀膜,只要对膜厚有精度和重复要求,也越来越重视用晶控仪来保证最终的膜厚。

在真空镀膜系统中,晶控仪可以独立作为沉积速率和厚度控制器或监视器,自动完成镀制一系列的膜层。也可以配合计算机监控软件,完成更复杂的系统控制。

问:晶控仪的核心是什么?
  • 晶控仪的核心是快速、准确、稳定的测量晶振片的谐振频率。它的其他功能都是围绕真空镀膜的工艺来的,是由石英晶体频率测量而扩展出来的专用仪器。
  • 问:晶振片是什么

    晶振片为AT切割石英晶体圆形薄片,厚度由标称频率决定;国内常用的6MHz晶振片厚度约0.28mm,直径14mm。晶振片的两个表面均镀有电极,一面为双锚图案,一面镀满,也有两面都镀满,电极材料有金、银、以及银铝合金。满镀面朝向探头开口,接受材料沉积。由于表面沉积膜料,晶振片的性能会发生变化,所以需要经常更换。

    问:晶控仪如何测量沉积速率?

    晶控仪按一定时间间隔周期性检测晶振片频率,并将频率变化按照预设的材料参数换算成材料厚度,厚度与时间的比值就是该材料的沉积速率。

    问:晶控系统组成
    晶控系统包含晶控仪主机、振荡包以及探头。探头的作用是固定晶振片(石英晶体谐振片),并提供冷却和引出晶振片的两个电极至振荡包。振荡包在真空室外就近连接探头,是测量频率的核心部件,可以看成主机的延伸部分。主机负责各类外部接口,包括人机界面,控制接口等。

    问:镀膜用户如何快速上手膜林晶控仪?

    如果是某些计算机控制系统用户,可以不操作晶控仪,甚至平时不用看晶控仪。

    膜林晶控仪是中文触摸屏,由几个页面组成。主要有[沉积]、[菜单]、[材料]、[膜系]、[运行参数]、[配置参数]、[探头与接口]。

    [配置参数]配置晶控仪,例如蒸发源挡板开关连接到哪个端口,怎么驱动坩埚及连接端口位置等。晶控仪安装时使用一次,正常镀膜无需使用。

    [运行参数]主要用于检查成膜记录,选择待沉积膜系。而选择待沉积膜系,在MXC-3B膜厚仪中,也可以在[膜系]页面完成。正常镀膜可不使用。

    [探头与接口]详细显示当前晶振片的振荡频率、阻力损耗,以及输入输出接口状态。供核查探头和接口情况,正常镀膜无需使用。

    [沉积]页面,开始、停止镀膜界面。运行后动态显示镀膜的主要状态,开机后自动进入。

    [菜单]页面,中转页面,仅起导航作用,界面简单。

    [材料]页面,包含材料的基本参数,材料名、材料密度和声阻抗率。包含更多的是工艺参数,所在蒸发源及挡板情况,材料的预熔功率和时间,是否自动控制功率,预期沉积速率和PID功率控制参数等。膜林晶控仪里,[材料]参数多,略显复杂,但随后会知道,这个复杂是值得的。正常镀膜时不需要使用。

    [膜系]页面,包含[膜系总体]页面和[膜层]设定页面。MXC-3B晶控仪,先进入的是[膜系列表]页面,由膜系列表进入膜系总体页面。正常镀膜前,对于已输入好的膜系,只需选择一次(或在[运行参数]页选择),然后无需再进入。

    [膜层]页面,[膜系]的子页面,每层膜,只需填写材料库号、沉积厚度、坩埚号三个参数。添加新膜层时,自动隔层拷贝前面的膜层,例如,当前已有2层膜,添加新膜层时,将自动拷贝膜层1的参数作为新膜层3的基础参数。这一点对于手动输入膜系时,相对其他品牌晶控仪,有巨大的速度优势。

    膜林晶控仪有哪些优势?

    某资深镀膜用户总结的好,膜林晶控仪带有工艺特质,成膜过程更平稳、结果更准确。

    详细,请参见[资料下载]页面,膜林晶控仪的相对优点一篇。

    问:晶控的基本原理是什么

    石英晶体存在压电效应及逆压电效应*,晶振片外接交流电源时,将产生受迫振动,当外接交流电源频率接近晶振片振动本征频率时,晶振片将达到谐振状态。对于AT切割石英晶体片来说,其主振荡方式为所谓的厚度剪切模式,即形变为横向,而波动的传播方向为沿着厚度方向。晶振片的这种机械振荡属于声学波范畴,所以我们的材料中会有声阻抗(率)这一参数。

    镀膜时,材料沉积到样品(镀膜产品)表面的同时,也沉积到晶振片表面,引起晶振片的谐振频率发生变化(下降)。晶控仪监测晶振片的谐振频率,根据预设材料参数,计算出材料的沉积速率和厚度。在一定的频率变化范围内,材料的沉积厚度与频率变化呈线性关系,这一特点使得晶控非常适合于控制速率。

    *当电介质沿一定方向上受到外力的作用而变形时,其内部会产生极化现象,同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷。当外力去掉后,它又会恢复到不带电的状态。当作用力的方向改变时,电荷的极性也随之改变。这种现象称为正压电效应。相反,当在电介质的极化方向上施加电场,这些电介质也会发生变形,电场去掉后,电介质的变形随之消失,这种现象称为逆压电效应。

    问:真空镀膜中晶控系统由哪些部件组成?
  • 频率测量部分:晶振片、夹持晶振片并提供水冷的晶振探头、让晶振片起振的振荡包及检测振荡频率的晶控仪。
  • 控制执行部分:坩埚、挡板、蒸发源等。受晶控仪控制,完成具体动作,属于晶控系统的延伸。
  • 问:MXC晶控仪包含哪些部件?
    MXC主机、电源线、振荡包、主机至振荡包之间的电缆、振荡包至探头的双头BNC电缆。
    问:如何安装膜林晶控仪

    膜林晶控仪说明书里有仪器的尺寸和安装孔位置说明。探头安装请参考探头说明。 围绕膜林晶控仪的功能,大致分为几个方面

    1. 探测频率(监测速率),从晶控仪的Sensor端口连接电缆至振荡包,振荡包后端用短同轴电缆连接探头

    2. 控制速率,膜林晶控仪有3个BNC模拟电压输出端,用同轴电缆连接至蒸发源控制器(如阻蒸的功率调整器)的控制输入端。

    3. 控制厚度,外接挡板控制。膜林晶控仪提供3个随蒸发源定义的挡板继电器,外加一个公共继电器,可灵活分配。在材料参数里还提供了一个特殊的继电器脉冲输出,模仿按下回弹按钮,用于改造某少数进口镀膜机的挡板控制

    4. 转动坩埚,自动定位坩埚位置略复杂些,请参考说明书(与挡板一样,从后面的IO端口接线)。此处提醒一句,配置参数设置后,可在探头与接口界面,直接测试坩埚转动,继电器输出等。

    5. 材料相关的充气(氧)继电器等,也请参考说明书

    问:工艺人员快速上手膜林晶控仪

    1.膜林晶控仪将很多成膜参数放在"材料"里,优点是膜系简单,每层膜只需材料库号、沉积厚度(kA)和坩埚号,这三个参数。而且隔层拷贝添加,非常方便。MXC-3B还提供计算机下载膜系工件软件,极大减少膜系的输入劳动。

    2.材料里的硬件相关参数,如源、坩埚、挡板等,安装好后不用动。工艺人员应关注的是成膜参数,如密度、声阻抗率、比例系数和预熔阶段等。

    问:成膜操作人员快速上手膜林晶控仪

    1.在<运行参数>里找到待沉积的膜系,选择起始层(默认1),回到<沉积>页面,"开始"即可。MXC-3B,还可以在膜系列表里选择好膜系后,点击"沉积",再回到<沉积>页面,从第1层开始。

    问:什么是声阻抗率

  • 在MXC晶控仪中,材料的声阻抗率定义为 Zratio = Zx / Zm , 式中Zx为石英晶体的声阻抗,Zm是材料的声阻抗。声阻抗率越小,其声阻抗值越大,单位密度材料的声速越大,可看做是对声速的阻碍程度。
  • 注意,有的晶控仪使用声阻抗,在MXC系列晶控仪中,一律使用声阻抗率。
  • 问:什么是单层膜厚度算法?
  • 在目前市面上常见的晶控仪中,其厚度算法多数使用的是单层算法。即将石英基片与材料层看成一个声学共振体,得出材料层的厚度与频率之间关系。
  • 通常,可见近红外镀膜中,6MHz新晶振片在用到5.8MHz之前(常见氧化物材料,其总厚度约10um),这种计算方法理论上的厚度偏差并不很大。
  • MXC中,开机未设定或设定不正确的情况下,仍沿用单层算法。
  • 问:什么是MXC多层膜厚度算法?
  • 在添加一个新层的情况下,要得出晶振片与所有层的共振频率(或计算厚度)会复杂很多倍。有文献给出过晶片附加2个膜层后的共振频率算式,过程已然复杂不堪,若沿用它的方法计算多层膜厚,将随着膜层的增加而迅速晕倒。
  • 本公司研究人员通过多年努力,找到了快速而准确的计算方法,此方法假定膜层的声阻抗及密度已知(用户在材料参数中设定),已镀膜层厚度也已知(成膜过程中自动记录)。
  • MXC多层膜厚度算法从原理上解决了多层膜厚度精确计算方法,并将其转换成可在单片机上快速实现的算法,以满足镀膜的实时性需要。
  • 本厚度算法属于厚度剪切声学波在多层介质中共振的快速计算方法,其具体计算原理暂不对外公开,也不申请专利。但对MXC用户使用是开放的。
  • 问:什么是晶振片失效
  • 晶控仪检测不到晶振片谐振频率后,会认为晶振片失效。
  • 膜料沉积到晶振片表面形成膜层,声学波也将传播进膜层内,在界面处发生与光学波相似的反射与透射现象。如果声波在传播过程中,损耗比较大,例如遇到裂纹、空位等缺陷或声吸收大的材料(如含油脂的手指印)、方向变化(形变),都可能会让谐振的Q值降低。当这种损耗增大到一定程度,甚至会发生晶振失效。
    在上海膜林科技有限公司的XDM、MXC晶控仪中,晶振片阻力损耗值就是反应这一损耗的特有参数,可为探头检测、晶振片安装、更换等提供参考,非常好用。

    在晶控仪中反应出的晶振失效,还包含了晶振片失效以外故障,例如接触不良或断路、短路、主机或振荡包损坏等。

    问:什么是晶振片的阻力损耗?
  • 我们知道,晶振片的振荡总会存在损耗,反映在电学回路上,就是晶振片的电阻值(电阻耗能)。在MXC晶控仪中,以阻力损耗的形式表达晶振片回路的损耗状态。
  • 晶振片与其安装电缆是串接至振荡包的,所以MXC中的阻力损耗值不仅与晶振片自身的损耗值有关,还与安装电缆的连接状态有关。晶振片正常安装的情况下,其接触电阻小于1欧姆,所以MXC显示的阻力损耗值基本上代表了晶振片自身的损耗。
  • MXC 中,以百分比的形式给出晶振片的损耗值,并称之为阻力损耗。它是以晶振片回路断路下作为基准100%;晶振片回路短路情况下,损耗值在10%附近或更低(在<探头与接口>页面看到,此时频率显示-4980000.000),当振荡包未连接,其值在0%附近。
  • 问:阻力损耗值分颜色显示?
  • MXC中按照阻力损耗的百分比值,分蓝、绿、黄、红四种颜色。目的是方便用户更直观的了解晶振片损耗情况。
  • 通常新晶振片安装后,其颜色为绿色或黄色(数值偏小),抽真空后颜色为绿色或部分进入蓝色。
  • 如果在安装时就出现红色,请一定要检查晶振片自身及安装是否正确。
  • 颜色按区间划分不是绝对的,用户可在<配置参数4>页面内,对颜色区间进行设置。
  • 问:阻力损耗值为什么在抽放气过程过程中会发生变化?
  • 阻力损耗值反应的是晶振片的振荡能量损耗。大气或粗真空下,晶振片的振荡会受到周围的气体分子摩擦而产生能量损耗;另外,晶振片表面吸附的杂质也不满足弹性连接,同样存在能量损耗。
  • 抽真空时,不仅吸附气体减少,晶振片的频率变高,同时损耗值会降低。真空放气过程相反。
  • 另外,在成膜过程中,晶振片的损耗值也是变化的。
  • 问:MXC中,什么是膜系?
  • 在MXC中,一系列的膜层构成一个膜系。
  • 膜系的基本构成元素是一系列膜层。膜层的构成元素是该层材料及物理厚度。 在晶控仪中,还包含了材料所在的坩埚号。
  • 与光学薄膜中的膜系含义是对应的。
  • 问:MXC中,一些硬件相关参数为什么也被包含在材料参数中,而没有单独列出来?
  • 这是MXC开发早期定下来的策略,目的是让膜系概念与光学薄膜对应。
  • MXC晶控仪内整合了很多成膜工艺及流程概念,才使得操作十分简单。
  • 问:晶控中,PID控制是怎么回事?
  • 晶控仪在探测到沉积速率后,与材料参数中目标沉积速率进行比对,并按照预定的控制方法调整蒸发源的输出功率,以期达到自动稳定沉积速率的目的。
  • 晶控仪为达到此目的,可以有许多种实现方法。在MXC晶控仪中,使用的是工业控制中最常用的PID控制方法。
  • 关于PID控制原理,书上、网上已有太多描述,此处不赘述了。
  • 问:影响速率稳定性的因素有哪些?
  • 要从速率的形成、检测、控制这几个方面来看这个问题。
  • 从蒸发源来看,电子枪灯丝、焦斑、扫描、材料状态(包括放气、高低、挖坑、多少、熔融等)、电极的连接情况、坩埚的冷却、离子源辅助情况等都有影响。这些因素不仅影响速率稳定性,而且会影响蒸发功率的大小。
  • 速率检测方面,晶振片的状态(在MXC中可参考阻力损耗值)、电极连接状态、晶振片附近是否有漏气或放气、真空度是否稳定、探头冷却水是否通畅等。
  • 控制方面,要看材料的PID参数的合适程度。
  • 可见,即使同一台机器,不同工艺及状态,要达到同样的速率控制,PID参数也可能不一样。幸运的是,PID参数的容差较大,即一般情况下,PID参数无需做很多调整,也能较好的对应多个状态。

  • 问:如何调整PID参数?
  • 判断速率能否自动控制稳定,有一个简单的办法:用固定功率蒸发,如果此时速率能相对稳定或缓慢变化,那么就可以自动调整稳定;否则不可以。
  • 在上述影响速率稳定性因素中,其他参数相对稳定的情况下,PID参数是否设置合理,才最终决定能否实现快速稳定可重复的速率控制。
  • PID调整
  • (a)速率过冲大,减小 P。若仍过冲,减小I,增强积分作用。
  • (b)偏差明显,减小 I,增强积分作用。 )起动时间长,增大 P,减小I,增强积分作用。
  • (d) 振荡,增大I,减弱积分作用。若仍振荡,增大P。
  • 上述是一般规律。鉴于晶控初始阶段的特殊性,起始速率过冲及起动时间长,预熔功率、挡板延迟、最大功率延迟、电子枪灯丝及坩埚等关系也比较大。
  • 问:为什么在挡板打开一定时间内会出现负速率及负厚度?
  • 这是成膜工艺带来的正常现象。挡板打开后,一方面,晶振片由于材料沉积而频率下降,另一方面晶振片受到热冲击而频率上升。而晶控仪只根据频率变化来计算厚度及速率,所以如果此时频率总体上升,晶控仪就会输出负速率及负厚度。
  • 不同的工艺,坩埚材料状态,甚至新、旧灯丝,即使相同工艺也会每次现象都不重合,这都属于正常现象,不需要进行特别处理。
  • 问:什么是控制延迟?
  • 成膜初始期间,晶控仪在打开蒸发源挡板后,将其功率保持在最后一个预熔阶段功率不变,直到一定延迟时间后才去自动控制蒸发源功率。这个延迟时间就是所谓的控制延迟时间。
  • 在蒸发源挡板刚打开时,晶振片由于受到热冲击而产生异常频率变化(不是厚度带来的),此时晶控仪根据频率计算出来的厚度及速率不是真实值。所以晶控仪不宜马上自动调节功率,而是延迟一定时间后再去自动控制。
  • MXC晶控仪在材料参数中设置控制延迟时间。
  • 问:什么是挡板延迟?
  • 有些晶控系统中,晶控的探头不受蒸发源挡板的遮挡。在挡板打开之前,晶控仪就能测量到沉积速率。这些系统中,需要在挡板打开时就已经建立起稳定的沉积速率。挡板延迟时间就是预熔阶段结束到挡板打开前,建立起沉积速率的最大等待时间!
  • 挡板延迟功能的优点是,挡板开时就已经建立稳定速率。缺点也很明显,探头的位置与产品的位置差异大。
  • 目前,MXC不支持挡板延迟功能。若要实现同样效果(挡板开始已经建立速率),可使用两台MXC晶控仪协作。
  • 另外,有的晶控仪二者都支持,也有晶控仪只支持挡板延迟。
  • 问:什么是MXC最大功率延迟时间?
  • 最大功率延迟时间是指:挡板打开后,允许输出的最大功率从保持功率线性上升至材料中设定的最大功率所需要的时间。
  • 这个功能设置是MXC所特有的,目的防止成膜初始阶段的功率,不至于因为速率的不真实而有过大的输出。
  • 与保持功率、控制延迟时间等参数一起,合理的设置会使得速率上升得又快又平稳,不至于有大的过冲。
  • 问:什么是MXC晶控仪中材料的补偿厚度?
  • 晶振片真实膜层厚度与晶控仪监控过程所记录下的膜层厚度(不包含比例系数)之间存在着厚度偏差。
  • 在上海兆九光电技术有限公司的无私协助下,双方共同发现,这个厚度偏差对特定材料及工艺是相对可重复的,即可定量化的。并立即进行了成膜试验,结果与预期符合得相当好。
  • 这个结果对薄层的厚度控制很有意义,在此再次对上海兆九光电技术有限公司为中国光学薄膜及相关产业的进步所做的无私贡献表示致敬!
  • MXC晶控仪中,开通补偿厚度功能是要额外收费的。此补偿厚度放置在材料参数中,在成膜过程中由晶控仪自动扣除。此版本中,也给出了厚度定量化的工具。
  • 问:什么是比例系数(因子)?
  • 晶控仪监测的是探头位置晶振片表面的沉积膜层厚度,与用户的产品(样品)表面沉积膜层厚度通常并不相等,二者之间存在一个比值关系,用比例因子(比例系数)来表达。比例系数定义为样品片的膜层厚度除以监控片的膜层厚度,它是光学薄膜中比较正式也比较容易理解的叫法。一些镀膜人说的工具因子是从英文的Tooling factor中直译过来的。二者的含义是一样的。
  • 在晶控中,监控片指的就是晶振片;而样品片是用户的产品片。
  • 晶控仪界面设定及显示的厚度,等于晶振片测量的厚度乘以比例系数。如果比例系数正确的话,那么显示厚度就是用户的产品厚度了。
  • 附:真空镀膜是一个复杂的材料转运转换过程,长期的工艺稳定性,很大程度上体现在尽量维持比例因子的稳定性。
  • 问:为什么把比例系数调大一点,产品的厚度会变薄(波长变短)?
  • 调节比例系数后,产品到底是变厚还是变薄,的确是个绕人的问题,容易混淆。
  • 这里暗含一个假定,那就是在调节比例系数前后,产品上的膜层厚度与晶振片上的膜层厚度之间的真实比例是不变的。
  • 晶控仪界面设定及显示的厚度,等于晶振片的膜层厚度乘以比例系数。可见,当设定厚度不变,比例系数与晶振片膜层厚度成反比。所以,当将比例系数调大时,晶振片的膜层厚度将变薄,根据前面暗含假定,产品的厚度会随之变薄,反之亦然。
  • 问:什么是使用晶振片原始速率控制?
  • 晶控仪显示的速率,通常是包含了比例系数在内的。改变比例系数,尽管显示速率不变,但晶振片控制的实际速率已经被同时改变。
  • 实际速率改变会带来一系列问题,比如膜厚分布。
  • 所以,MXC在配置参数中提供了这样一个选项,当用户选择后,MXC晶控仪实际控制速率就是材料中的目标速率,不再与比例系数相关,以保证工艺的重复性。
  • 问:什么是时间功率?
  • MXC晶控仪中,时间功率选项出现在膜系首页中的。它的含义是在成膜过程中,当出现晶振失效时,晶控仪将按照前10秒的平均功率继续成膜,并以设定速率累计厚度,直至该层厚度完成。
  • 目前,不建议选择时间功率,因为在晶振失效期间,晶控仪实际是在瞎镀,尽管其策略看上去还是那么回事。
  • 有些情况下,晶振失效是短暂的且可恢复的(受到某种异常冲击)。选择立即停止,给用户一个修正的机会。
  • 问:怎样配合光控控制厚度?
  •    晶控在达到设定厚度时才会自动关停。所以,只需要膜层设定厚度远大于正常膜厚即可,让晶控永远达不到,骗骗它;光控厚度到达时,发送停止命令即可停止晶控仪成膜进程。
  • 问:怎样发送停止命令?
  •   方法1:晶控界面按<暂停>按钮
  •   方法2:通过连接IO口的输入端,发送<停止命令>信号
  •   方法3:通过串口RS232发送停止命令
  • 问:MXC-3B怎样外接按钮开关来命令晶控仪停止成膜?
  •   步骤1:在<配置参数>下的<输入端口及源配置>页面任意配置一个输入功能(例如功能号2)为<停止命令>,命令响应方式为<下降沿>
  •   步骤2:将输入端口号2对应的IO1的第17脚用导线连接到外界按钮开关的一端;同样,连接IO1的第24脚至外界按钮开关的另一端
  • 补充说明:将外接按钮开关两端分别接IO2的第31脚及第12、13、14、15、16、17、18、19中任意一脚,可实现同样功能。
  • 补充说明:将命令响应方式设定为<下降沿>,在按钮按下的瞬间响应命令。若设定为<上升沿>,则按钮按下后弹起瞬间才响应命令。
  • 问:XDM-3K的输入输出端口IO1与IO2是什么关系?
  •   XDM-3K晶控仪的背面,有IO1与IO2两个D型接口,分别为25针公座和37针公座。IO1包含了输入功能号1到8以及输出功能号1到8。
  •   IO2则包含了输入功能号1到8以及输出功能号1到10。IO2比IO1多了输出9和输出10,其余输入输出二者是并联关系。功能号对应的管脚号在输入输出配置页面都有提示。
  • 问:怎么手工控制功率,晶控仪只用于看速率?
  •   1.材料蒸发源功率控制不外接,或者设定到用不到的蒸发源端口去
  •   2.外部支持手自动切换时,蒸发源相当于没接;
  •   3.如果仍用晶控仪控制功率,可以将材料设为定功率方式。手动在[沉积]页面点击功率输出处,更改当前功率。或外接旋转编码器的两端子分别接至<功率增加><功率减少>两个输入功能,此种方式下,旋转编码器将以0.1%的步进值增加或减少输出功率。如再将输入功能<定功率/自动>接出至按钮(如旋转编码器),则可以通过该按钮切换控制模式,看看手工与MXC到底谁控得更稳。
  • 基本操作:

    问:如何清除<操作>页面中图形区曲线
  •    点击图形区中间部位即时清除界面
  •    配置参数中,勾选[开始时清除],将在成膜开始后自动清除一次。
  • 问:如何在成膜过程中临时更改当前层设定厚度?
  •    在成膜过程中,点击<操作>页面左下角<设计速率:设计厚度>区域,即可临时修改当前层厚度。
  • 问:如何在成膜过程中快速修改最大功率?
  •    在成膜过程中,点击<操作>页面右下角偏左处的<当前功率>区域,即可临时修改最大功率。
  • 问:如何解读<操作>页面内图形区正下方的当前信息?
  •    MXC-3B晶控仪,界面有稍暗的字体对后续信息解释,看界面。
  •    MXC-3或MXC-3K, 例:Nb2O5-1 2/5 c130918-1 1/2
  •    Nb2O5-1 : 材料名
  •    2/5 : 共5层,当前是第2层
  •    c130918-1: 膜系名
  •    1/2 : 蒸发源2坩埚1
  • 问:如何修改材料库1的材料参数?
  •    通过<菜单>进入<材料>页面
  •    选择材料库1,(源)
  •    点击<查看>,(将材料1调入显示内存)
  •    按页修改参数,共4页
  •    点击<保存>,并<确认>保存
  • 问:如何拷贝材料库1到材料库2中?
  •    通过<菜单>进入<材料>页面
  •    选择材料库1,(源)
  •    点击<查看>,(将材料1调入显示内存)
  •    选择材料库2,(目的)
  •    点击<保存>,并<确认>保存
  • 问:如何在成膜过程中材料速率及更改PID参数?
  •    在成膜过程中修改材料参数,与修改材料库参数的过程一样。
  •    需留意的是,务必正确选择当前层所用的材料库号。
  • 问:如何输入一个膜系?
  •    在MXC中,膜系由一系列膜层组成。膜层只有层厚度与膜系库号两个参数,膜系库号后显示的膜系名称是便于用户确认的。
  •    MXC-3与XDM-3K提供20个膜系库空间。用户不能新建膜系,也不能删除膜系,只能将膜系输入进这20个膜系库空间中的一个。
  •    所以,输入一个膜系的操作与前述修改膜系参数是一样的含义。
  • 问:如何修改膜系1参数?
  •    通过<菜单>进入<膜系>页面
  •    选择膜系1
  •    点击<查看>,(将膜系1调入内存)
  •    修改膜系首页参数,如膜系名称(成膜时,运行膜系的名称将显示在<操作>页面>)
  •    点击<查看及编辑膜层>,进入<膜层>页面
  •    如在末尾增加层,点击<在末尾添加>层,并修改层厚度及层材料
  •    如删除某层,在点击该层所在行,当该行被选中后,行首将出现’勾号’选择符。点击<删除>
  •    如在某层前插入一层,则首先选择该层,然后点击<在之前插入>
  •    <退出>至膜系首页
  •    <保存>并<确认>
  • 问:如何拷贝膜系1到膜系2中?
  •    通过<菜单>进入<膜系>页面
  •    选择膜系库1,(源)
  •    点击<查看>,(将膜系1调入显示内存)
  •    选择膜系库2,(目的)
  •    点击<保存>,并<确认>保存
  • 问:如何查看膜系1参数?
  •    通过<菜单>进入<膜系>页面
  •    选择膜系1
  •    点击<查看>,(将膜系1调入内存)
  •    点击<查看及编辑膜层>,进入<膜层>页面查看
  • 问:如何指定从膜系1的第1层开始运行?
  •    通过<菜单>进入<运行参数>页面
  •    如当前<开始膜系>号不是1,则选择膜系库号至 1,此时下方<开始膜层>将自动变为起始层1,<起始厚度>自动清0。
  •    如当前<开始膜系>号是1,则选择<开始膜层>至1
  •    注意:MXC晶控仪开机时,将自动调用成膜记录中的最后一层作为当前<开始膜系>与<开始膜层>。
  • 问:<运行参数>与<配置参数>有什么区别?
  •    <配置参数>包含的是一些设置及硬件配置等参数,可保存在MXC中,供以后再次开机使用。有密码保护(如设定包含密码),平常镀膜时不应改动。
  •    <运行参数>是对当前运行状态进行设置,如指定<开始膜系>及<开始膜层>等,运行参数修改后,仅在未关机状态下有效,不保存。唯一例外的是,<成膜记录数据>选择项的改变,虽然对当前期有效,但要供再开机使用,则需要在<配置参数>中保存的。
  • 问:在<运行参数>中,<开始膜层>下方的<起始厚度>有什么用处?
  •    指定当前<开始膜层>已镀厚度。
  •    MXC成膜时,将从设计膜厚中减去指定已镀厚度。
  • 问:在成膜过程中突然停电,电力恢复后如何继续成膜?
  •    用户仅需点击<继续>即可。
  •    在成膜过程中停电,MXC自动在掉电前将当前层已镀信息记录进成膜记录中。
  •    恢复上电后,MXC晶控仪将自动调用掉电前膜系及膜层信息,已镀厚度也自动载入<起始厚度>,并将首页的<开始>/<继续>按钮位置显示为<继续>状态,
  • 问:<运行参数>页面中的<测试模式>有什么用?
  •    <测试模式>是保留给硬件参数调试用的。
  •    勾选<测试模式>,MXC进入测试模式状态(<操作>页面上方将显示<测试模式>标识)。在此测试模式下成膜,MXC的蒸发源将不输出功率,而其他输入输出动作如驱动坩埚、挡板等保持正常。
  •    MXC开机时,测试模式是默认不选择的。
  • 问:如何查看成膜记录?
  •    通过<菜单>进入<运行参数>界面
  •    点击”成膜记录数据”右侧的<查看>按钮
  •    注意: 勾选”成膜记录数据”后,MXC才自动在停止时刻记录成膜数据。
  • 问:如何解读成膜记录?
  •    MXC按层完成的顺序逐条记录成膜数据。
  •    例: 0012 130301164336 07:09 5935998.5 38.5% 03:21 1.201
  •    0012: MXC内部循环记录序号
  •    130301164336: 层开始时刻,2013年03月01日16时43分36秒
  •    07:09 : 层经历时长,07分09秒
  •    5935998.5 : 层开始时刻频率 5935998.5 Hz
  •    38.5% : 停止时刻阻力损耗值为 38.5%
  •    03:21 : 膜系3第21层
  •    1.201 : 层已镀厚度1.201千埃
  • 探头检测

     

    2014.07.14下午,我和上海wj的朋友z从上海松江一起去嘉兴王店,帮一个朋友w生检查晶控: x10检测不出频率
    1. 先是用一个我们的模拟晶控探头接到x10的振荡包上,有频率显示,说明x10和它的振荡包是没有问题的。
    2. 拿我们的 MXC-3K 晶控仪一检查,也没有频率。
    通过观察阻力损耗值(频率未锁定,损耗值100%附近),可以断定探头回路断路。具体什么位置还要检查。
    还好,晶控仪的阻力损耗还可以用于检查短路。
    3. 松开装晶振片的探头(Holder)前端的射频连接线,用金属镊子搭住连接线接头的内芯与外壳,晶控仪阻力损耗值显示短路状态(频率未锁定,损耗值10%附近)。
    说明晶振片Holder以前都没有问题,问题应出在内部。把射频线连回去。
    4. 要来酒精与擦拭布,把晶振片Holder内部清洁一下,装入晶振片,MXC-3K显示频率,损耗值进入正常范围,绿色。
    5. 再接 x10,同样OK.

    小结:
    1. 问题还是出在对探头的保养上,只要用户稍加注意。
    事实上,还是有很多用户不太明白,以为把晶振片换进口的就应该好了。
    2. 可直接用镊子导通探头弹片爪子和外壁,看是否有短路状态,倒着朝上推。
    3. 没有MXC-3K的朋友,可通过互换等办法来判断问题所在。
    MXC-3K的此处的优点在于,它可在线检测晶振片阻力损耗值(包含了电子回路的阻抗),并对损耗值范围加以颜色区分。

    后记:
    1. 因为曾见过探头内部焊点脱落,射频导线似连似断,同时也因为这台机的探头拆卸方便,所以中途是让w生把探头从机器上拆下来检查的。
    2. 中间曾把晶振片重装一次,用MXC-3K检测,有频率,但损耗值非常大,90%多,红的。这也表明是回路接触电阻过大,间或断路。
    此时,在x10上应该也能检测出频率,看上去正常,但这样子镀膜,后果是严重的,速率跳动会很大,厚度不准确。
    w生后来说,这次,他们装上去时还有频率显示,但真空一抽就没有了。他们之前就发生过速率不稳定,寿命值异常,这次直接没频率。
    3. 说起来啰嗦一大堆,其实做起来也就十来分钟,还包含出去借大扳手的几分钟。

     

    某MXC-3B厂商用户电话反应,晶振失效,损耗值在0.几。第一反应是探头短路,让其断开振荡包与探头之间的小电缆,故障依然。再请其将MXC-3B主机与振荡包之间的电缆重新插接一次。 后电话回馈,螺丝没有固定,电缆松动。改正后OK。 (损耗值异常低的情况下,内部模拟探头的检测能力也将失效,因为如果是探头短路,它也会被短路,所以先让用户断开探头连接测试。)

     

    2016.04.20上午,再次和wj朋友z去s州朋友客户处帮忙检测晶控:x10经常出现大的正负速率(几十A/S),不镀膜时也会有。 1. 先检查探头,断开x10振荡包,将我们的MXC-3B晶控仪接入探头。颜色显示绿色,说明探头内晶振片损耗状况良好。探头没有问题! 2. 由1可判断出问题出在探头以前,就是x10系统。隔壁机器正好也是x10,还不在镀膜。借来振荡包,换上,OK。

    近日,只带一个万用表,去xx地帮用户检测,症状同样是x10检测不出频率。用模拟探头接上,x10虽有频率显示,但频率跳动很大,且明显偏离标称值,初步判断晶控仪侧有问题。因常见x10振荡包问题,就取下振荡包去其他机台测试,果然在其它机台上也不能检测出频率。从另一台机器上拆了一个振荡包过来,用模拟探头频率显示正常,但接上探头还是没有频率! 再开始探头电路通断检测。经过一番折腾,发现问题出在FeedThrough内部,中心上下不通,问题搞大了,这玩意是密封在内部的,无法维修,只能更换。这种早期进口的探头FeedThrough,存在设计上的bug。再经几天折腾,更换成某的探头,频率OK,效果观察中。

        再后记,这种探头,运气好的,可以试着修。但本次运气欠佳,内部锈结,断了。

        晶控仪新增的频率自检功能,省去了爬上去接模拟探头的步骤。但如果真的是短路现象,那还是需要拔掉振荡包至探头法兰之间接线的来确诊的。

     

    欢迎指出不当之处和建议,不止是帮助我们进步,也会帮助到其他用户。

    MXC晶控问答下载:<问答.pdf>





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